文/北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 柳虹
摘要：在確定半導體領域的發(fā)明實際解決的技術問題時，應該從本領域技術人員的解決問題的正常思路出發(fā)，考慮的是本領域技術人員在對比文件1的基礎上能夠得到的技術問題，是本領域技術人員基于技術場景實際會面臨的技術問題，而不是利用本發(fā)明的區(qū)別特征反推出的技術問題。
在對發(fā)明專利的創(chuàng)造性評述中，需要評價該發(fā)明相對于現(xiàn)有技術是否顯而易見。《專利審查指南》中規(guī)定，判斷要求保護的發(fā)明相對于現(xiàn)有技術是否顯而易見，通常可按照以下三個步驟進行：確定最接近的現(xiàn)有技術、確定發(fā)明的區(qū)別特征和發(fā)明實際解決的技術問題、判斷要求保護的發(fā)明對本領域的技術人員來說是否顯而易見。
其中，發(fā)明實際解決的技術問題，是根據(jù)審查員所認定的最接近的現(xiàn)有技術重新確定發(fā)明實際解決的技術問題，是指為獲得更好的技術效果而需對最接近的現(xiàn)有技術進行改進的技術任務。
判斷要求保護的發(fā)明對本領域的技術人員來說是否顯而易見，實際上要確定的是現(xiàn)有技術整體上是否存在某種技術啟示，即現(xiàn)有技術中是否給出將上述區(qū)別特征應用到該最接近的現(xiàn)有技術以解決其存在的技術問題的啟示，這種啟示會使本領域的技術人員在面對所述技術問題時，有動機改進該最接近的現(xiàn)有技術并獲得要求保護的發(fā)明。
現(xiàn)有技術整體上能夠提供技術啟示的其中一種情況是，本申請相對于最接近的現(xiàn)有技術的區(qū)別特征為另一份對比文件中披露的相關技術手段，該技術手段在該對比文件中所起的作用與該區(qū)別特征在要求保護的發(fā)明中為解決該重新確定的技術問題所起的作用相同。
也就是說，審查創(chuàng)造性時，可以將多份現(xiàn)有技術中的不同的技術內(nèi)容組合在一起對要求保護的發(fā)明進行評價，多份現(xiàn)有技術的結(jié)合需要以本領域技術人員面對特定問題有動機去改進最接近的現(xiàn)有技術為基礎。在半導體領域，經(jīng)常會遇到要求保護的發(fā)明中利用“簡單”的技術手段去接近“困難”的技術問題的案例，而這種“簡單”的技術手段往往是本領域常規(guī)的技術手段，這些技術手段是否容易與最接近的現(xiàn)有技術結(jié)合得到要求保護的發(fā)明的技術方案，是值得考究的。
筆者認為，在確定半導體領域的發(fā)明實際解決的技術問題時，應該從本領域技術人員的解決問題的正常思路出發(fā)，考慮的是本領域技術人員在對比文件1的基礎上能夠得到的技術問題，是本領域技術人員基于技術場景實際會面臨的技術問題，而不是利用本發(fā)明的區(qū)別特征所推導出的技術問題。
下面結(jié)合具體案例進行詳細說明。
?案例：
要求保護的發(fā)明的技術方案是：在溝道孔的側(cè)壁形成第一多晶硅層，之后將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮氣環(huán)境中，在溝道孔中形成第二多晶硅層。其中，惰性氣體或氮氣環(huán)境由晶圓盒提供。
對比文件1作為最接近的現(xiàn)有技術，公開的是：在溝道孔中形成材料為多晶硅的第一半導體溝道層，以及材料為多晶硅的第二半導體溝道層。即，公開了在溝道孔中形成第一多晶硅層和第二多晶硅層。
要求保護的發(fā)明相比于對比文件1的區(qū)別特征為：形成第一多晶硅層后，形成第二多晶硅層前，將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮氣環(huán)境中，惰性氣體或氮氣環(huán)境由晶圓盒提供。審查員認為，要求保護的發(fā)明實際解決的技術問題為：如何有效抑制在進行第二多晶硅層生長前的等待過程中第一多晶硅層的自然氧化，減少溝道層中氧化硅的占比，降低溝道電阻，提高器件性能。
對比文件2公開了一種新型硅片盒氮氣填充柜，密封的硅片盒內(nèi)外均以氮氣氛填充，以將硅片盒內(nèi)部的濕度及氧含量降低到極低的水平，消除因水汽和氧氣對硅片表面造成的影響。
這樣，對比文件1公開了形成溝道孔中形成第一多晶硅層和第二多晶硅層，對比文件2公開了硅片盒可以填充氮氣，以降低濕度和氧含量，從技術特征表面上來看，對比文件1和對比文件2似乎公開了“形成第一多晶硅層”、“形成第二多晶硅層”、“提供氮氣環(huán)境”這些特征，幾乎涵蓋了要求保護的發(fā)明的各個技術特征，這種結(jié)合“看上去”沒有問題，結(jié)合之后似乎也能得到要求保護的發(fā)明的技術方案。
然而，仔細研究后就會發(fā)現(xiàn)，前述的技術問題實際上是在要求保護的發(fā)明技術特征的基礎上反推出來的，而不是本領域技術人員在已知對比文件1的基礎上實際面臨的，而這兩個問題之間的差異被審查員忽視了，從而使對比文件1和對比文件2之間的結(jié)合變成技術特征的堆砌，而不是真正的“提供技術啟示”。
在要求保護的發(fā)明中，在形成第一多晶硅層之后，形成第二多晶硅層之前，可以將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮氣環(huán)境中，本領域技術人員確實能夠得到這樣可以使第一多晶硅層置于低水低氧的環(huán)境中，防止氧化成為氧化硅的技術效果。這是能夠從技術手段推導技術效果的過程，也很輕易得到要求保護的發(fā)明實際要解決的技術問題就是防止溝道層氧化成為氧化硅，但是這個技術問題是否就是本領域技術人員面臨的技術問題呢，其實是不一定的。
事實上，本案的發(fā)明人在器件的制造過程中所遇到的問題是：器件性能差，之后，發(fā)現(xiàn)了器件性能差的原因在于溝道電阻大，然后發(fā)現(xiàn)了溝道電阻較大的原因為溝道層中的氧化硅的占比較高，氧化硅是絕緣材料，會導致溝道電阻較大，而溝道層中的氧化硅的占比較高的原因在于第一多晶硅在形成之后被氧化，而第一多晶硅被氧化的原因在于在形成第一多晶硅層之后存在等待的過程，等待的過程中第一多晶硅層置于高氧高水分的環(huán)境下會導致多晶硅被氧化，這才是溝道層電阻變大的根本原因。
很明顯，在對比文件1的基礎上，本領域技術人員在不付出創(chuàng)造性勞動的條件下，可能會發(fā)現(xiàn)器件性能差的問題，但是不會發(fā)現(xiàn)更深層次的原因，即器件性能差時因為溝道層的電阻較大，電阻較大的原因是溝道層中有較高的氧化硅的占比，較高的氧化硅的占比是因為第一半導體溝道層在放置的時間段內(nèi)被氧化。事實上，對比文件1也沒有提及在第一半導體溝道層形成后需要等待，在不需要等待的情況下自然不會產(chǎn)生對第一半導體溝道層的氧化。
因此，器件性能差才是本領域技術人員會面臨的技術問題，換句話說，從器件的性能較差，到發(fā)現(xiàn)溝道電阻較大，再到發(fā)現(xiàn)溝道層中的氧化硅的占比較高，再到第一多晶硅層被氧化的根本原因，是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)問題以及尋求問題存在的根源的過程，而本領域技術人員在付出創(chuàng)造性勞動的基礎上，在面臨器件性能差的問題時是否會去尋求防止溝道層氧化的方式，答案自然是否定的。
綜上所述，審查員認為的技術問題是在看到要求保護的發(fā)明的技術方案之后，是利用要求保護的發(fā)明的區(qū)別技術特征反推出來的，而不是本領域技術人員在對比文件1的基礎上客觀會面臨的技術問題。實際上，在將要求保護的發(fā)明的實際要解決的技術問題定義為“如何提高器件的性能”之后，我們會發(fā)現(xiàn)，對比文件1和對比文件2的結(jié)合存在邏輯斷層，即對比文件1中實際存在的技術問題和對比文件2實際能夠解決的問題不匹配。
因此，審查員指出的這種結(jié)合僅僅實現(xiàn)了技術特征的堆砌，本領域技術人員甚至并不知曉為什么要將二者結(jié)合，這并不符合本領域技術人員在研究過程中的解決問題的思路，這種結(jié)合也不應該是創(chuàng)造性評價中的“有動機”的“結(jié)合”，而真正從對比文件1實際存在的技術問題出發(fā)時，對比文件1和對比文件2是沒有結(jié)合動機的。因此，從最接近的現(xiàn)有技術出發(fā)，確定準確的技術問題，是審查員和代理人在實審階段需要特別注意的。
以上是筆者在進行審通答復的過程中的總結(jié)思考，其中若有不妥之處，還請讀者批評指教。