記憶體侵權(quán)案又一樁 飛思卡爾控告茂德
2006-12-13 據(jù)報道，總部位于美國德州的半導(dǎo)體大廠飛思卡爾（Freescale）近日向美國德州Sherman聯(lián)邦法院控告臺灣第三大DRAM廠商茂德侵犯飛思卡爾3項專利權(quán)，并提出現(xiàn)金賠償要求，對此,茂德表示,尚未收到飛思卡爾的行文通知，待接獲后將做進(jìn)一步處理，目前不予置評。
飛思卡爾要求法院下令禁止茂德使用這些受專利保護(hù)的技術(shù)，并希望能獲得現(xiàn)金賠償，但實(shí)際要求金額尚未確定。飛思卡爾指控茂德侵犯的美國專利權(quán)編號為USP5,367,494、USP5,467,455、與USP5,476,816，分別是和記憶體存取時間、記憶體資料處理系統(tǒng)與動態(tài)匯流排，以及和記憶體晶片生產(chǎn)用金屬層侵蝕相關(guān)的專利權(quán)技術(shù)。
近來有關(guān)記憶體廠侵權(quán)的案件有增多的情況，連韓廠三星電子（Samsung Electronics）也被美國半導(dǎo)體廠On Semiconductor在德州聯(lián)邦法院指控侵犯專利技術(shù)，加拿大IC設(shè)計業(yè)者也指控美光（Micron）、力晶、茂德、茂矽等廠商侵權(quán)。
飛思卡爾要求法院下令禁止茂德使用這些受專利保護(hù)的技術(shù)，并希望能獲得現(xiàn)金賠償，但實(shí)際要求金額尚未確定。飛思卡爾指控茂德侵犯的美國專利權(quán)編號為USP5,367,494、USP5,467,455、與USP5,476,816，分別是和記憶體存取時間、記憶體資料處理系統(tǒng)與動態(tài)匯流排，以及和記憶體晶片生產(chǎn)用金屬層侵蝕相關(guān)的專利權(quán)技術(shù)。
近來有關(guān)記憶體廠侵權(quán)的案件有增多的情況，連韓廠三星電子（Samsung Electronics）也被美國半導(dǎo)體廠On Semiconductor在德州聯(lián)邦法院指控侵犯專利技術(shù)，加拿大IC設(shè)計業(yè)者也指控美光（Micron）、力晶、茂德、茂矽等廠商侵權(quán)。
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